RAM的分类

##RAM的分类##
RAM(Random Access Memory)随机存储器,我们在日常生活中经常会听到RAM这个单词。比如某米手机6G RAM+64G ROM,某为手机6G RAM+128G ROM等。对手机比较了解的人都知道RAM是代表运行内存,运行内存越大,可以打开的应用就越多,不会卡。RAM有一下两个特点:

  1. RAM可以认为是内存,程序运行过程中用来存储指令和变量。读写速度非常快
  2. RAM 是易失性的存储器,断电后所有数据将会丢失。

###什么是随机###
RAM也称随机存储器,那么随机是什么意思?所谓随机,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置无关(任何位置读写速度一样)。这里拓展一下随机存取和直接存取的区别,数据在存储器的存取方式可以分为随机存取和直接存取。

1、随机存取(有时亦称直接访问)代表同一时间访问一组序列中的一个随意组件。反之则称循序访问,即是需要更多时间去访问一个远程组件。随机存取存储器的基本结构可分为三个部分:存储矩阵,地址译码器,读写电路。
2、直接存取,访问时读写不见先直接指向一个小区域,再在该区域内 顺序查找,访问时间与数据位置有关( 磁盘)

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###DRAM###
DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器)是最为常见的系统内存。我们使用的电脑和手机的运行内存都是DRAM。DRAM使用电容存储,DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。数据的存储,请参考数据存储模型。我们知道,电容中的电荷很容易变化,所以随着时间推移,电容中的电荷数会增加或减少,为了确保数据不会丢失,DRAM每隔一段时间会给电容刷新(充电或放电)。动态:定时刷新数据
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###SRAM###
SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器),它是一种具有静止存取功能的内存,其内部机构比DRAM复杂,可以做到不刷新电路即能保存它内部存储的数据。静态:不需要刷新

对比DRAM的优缺点:

  1. 优点:速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
  2. 缺点:集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率

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###DRAM和SRAM对比###
存储单元结构不同导致了RAM容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大,但是读写速度不如SRAM。一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。

SRAM其实是一种非常重要的存储器,它的用途广泛。SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存,仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。

###SDRAM###
SDRAM:(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器),为DRAM的一种,同步是指Memory工作需要同步时钟,内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。
###DDR SDRAM###
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM):为双信道同步动态随机存取内存,是新一代的SDRAM技术。DDR内存芯片的数据预取宽度(Prefetch)为2 bit(SDRAM的两倍)。
###DDR2 SDRAM###
DDR2 SDRAM(Double Data Rate Two SDRAM):为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit(DDR的两倍)
###DDR3 SDRAM###
DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit,即每次会存取8 bits为一组的数据。运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。

###总结###
以上是个人对RAM分类总结,我们主要是要明白RAM、SRAM、DRAM之间的特点和区别。这是最主要的核心,后面的DDR1-3的三代RAM作为了解,现在已经出了DDR4的RAM了,速度比DDR3又快了很多,随着技术的发展,会出现更加多的新技术,我们要时刻保持科技的敏感度,紧跟时代甚至超越时代。

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